כונן SSD פנימי סמסונג Samsung EVO 850 MZ-N5E500BW 500GB M.2 SATA
  • כונן SSD פנימי סמסונג Samsung EVO 850 MZ-N5E500BW 500GB M.2 SATA
  • כונן SSD פנימי סמסונג Samsung EVO 850 MZ-N5E500BW 500GB M.2 SATA
  • כונן SSD פנימי סמסונג Samsung EVO 850 MZ-N5E500BW 500GB M.2 SATA

כונן SSD פנימי סמסונג Samsung EVO 850 MZ-N5E500BW 500GB M.2 SATA

0  חוות דעת ( חוות דעת גולשים)
יבואן רשמי של סמסונג

* קיים במלאי
** איסוף עצמי בתאום מראש
*** ישלח באותו יום עסקים או בזה שאחריו
  • מקט: 49993
  • אפשרויות משלוח:
    אפשרויות משלוח למוצר לבחירה בקופה:
    • איסוף עצמי מחולון 0 ₪
    • E-POST - איסוף מנקודת חלוקה 0 ₪
    • שליח עד לפתח הבית / העסק 39 ₪
    סגירה
  • זמן אספקה לאחר אישור הזמנה: עד5ימי עסקים
  • קישור לאתר יצרן:  Samsung
  • אחריות: 60 חודשים
לרכישת מוצר זה התקשרו לקבלת פרטים

מהו 3D V-NAND וכיצד הוא שונה מהשאר?

ארכיטקטורת זיכרון פלאש תלת מימדית וחדשנית של סמסונג. הביצועים של 3D V-NAND טובים יותר לעומת המתחרים.

 

 

 

 ביצועים מקסימלים

ממטב את המהירות עם טכנולוגיית TurboWrite עבור מהירויות קריאה / כתיבה 

Evo 850 מספק את רף הביצועים שלו ברצף עבודה במהירות של (540 MB / s) וכתיבה (520MB / s)

  

 

  5 שנות אחריות! 

ע"י יבואן רשמי

איתך לכל אורך הדרך

Guaranteed endurance and reliability bolstered by 3D V-NAND technology
 

 הכפלת הביצועים פי 2 בזכות RAPID

התוכנה של סמסונג (לינק:Samsung Magician) מספקת מצב מהיר פי 2 עבור עיבוד נתונים.
הכונן הקשיח מהיר במיוחד רק בעזרת השימוש בזכרון DRAM מה שנותן לכונן דחיפה של ביצועים
Get into the fast lane with the improved RAPID mode
  
 
 היעולת של 3D V-NAND
יתרון עבור מחשבים ניידים - כונן בעל צריכת חשמל מאוד נמוכה (2mW), מה שנותן חיי סוללה ארוכים מהרגיל.
Compute longer with improved energy efficiency backed by 3D V-NAND
  

הצפנה AES 256

850 EVO מגיע עם טכנולוגיית הצפנה של AES 256 מאבטח נתונים ללא כל הפרעה בביצועים ועומד ב- TCG Opal 2.0.  (תואם לתקן Microsoft IEE1667 כונן אלקטרוני)
כך הנתונים שלך מוגנים.
 
 
 
 
Secure valuable data through advanced AES 256 encryption
 
 
מפרט טכני 

גודל M.2 2280

 SATA 6Gb/s משקל 8 גרם

זכרון אחסון Samsung V-NAND
בקר Samsung MGX זכרון מוטמן Samsung LPDDR3 הצפנה AES 256 תמיכה ב-TRIM
תמיכה ב-S.M.A.R.T

כתיבה רנדומלית (4KB,QD32)

עד 89,000IOPS כתיבה

קריאה רנדומלית (4KB,QD32)

עד 97,000IOPS קריאה

  תאימות למחשב נייח/נייד
מהירות כתיבה 520MB/s מהירות קריאה 540MB/s עמידות של 1.5 מיליון שעות  אחריות 5 שנות אחריות או 150TBW

 

מהו 3D V-NAND וכיצד הוא שונה מהשאר?

ארכיטקטורת זיכרון פלאש תלת מימדית וחדשנית של סמסונג. הביצועים של 3D V-NAND טובים יותר לעומת המתחרים.

 

 

 

 ביצועים מקסימלים

ממטב את המהירות עם טכנולוגיית TurboWrite עבור מהירויות קריאה / כתיבה 

Evo 850 מספק את רף הביצועים שלו ברצף עבודה במהירות של (540 MB / s) וכתיבה (520MB / s)

  

 

  5 שנות אחריות! 

ע"י יבואן רשמי

איתך לכל אורך הדרך

Guaranteed endurance and reliability bolstered by 3D V-NAND technology
 

 הכפלת הביצועים פי 2 בזכות RAPID

התוכנה של סמסונג (לינק:Samsung Magician) מספקת מצב מהיר פי 2 עבור עיבוד נתונים.
הכונן הקשיח מהיר במיוחד רק בעזרת השימוש בזכרון DRAM מה שנותן לכונן דחיפה של ביצועים
Get into the fast lane with the improved RAPID mode
  
 
 היעולת של 3D V-NAND
יתרון עבור מחשבים ניידים - כונן בעל צריכת חשמל מאוד נמוכה (2mW), מה שנותן חיי סוללה ארוכים מהרגיל.
Compute longer with improved energy efficiency backed by 3D V-NAND
  

הצפנה AES 256

850 EVO מגיע עם טכנולוגיית הצפנה של AES 256 מאבטח נתונים ללא כל הפרעה בביצועים ועומד ב- TCG Opal 2.0.  (תואם לתקן Microsoft IEE1667 כונן אלקטרוני)
כך הנתונים שלך מוגנים.
 
 
 
 
Secure valuable data through advanced AES 256 encryption
 
 
מפרט טכני 

גודל M.2 2280

 SATA 6Gb/s משקל 8 גרם

זכרון אחסון Samsung V-NAND
בקר Samsung MGX זכרון מוטמן Samsung LPDDR3 הצפנה AES 256 תמיכה ב-TRIM
תמיכה ב-S.M.A.R.T

כתיבה רנדומלית (4KB,QD32)

עד 89,000IOPS כתיבה

קריאה רנדומלית (4KB,QD32)

עד 97,000IOPS קריאה

  תאימות למחשב נייח/נייד
מהירות כתיבה 520MB/s מהירות קריאה 540MB/s עמידות של 1.5 מיליון שעות  אחריות 5 שנות אחריות או 150TBW

 

חזרו אלי בקשר למוצר זה

ברצוני לקבל מידע על מוצרים ומבצעים באתר

אני מסכים/ה לתנאים, ההגבלות, ל-מדיניות פרטיות ומאשר/ת יצירת קשר מאתר tdsd.co.il.

השאירו פרטים ונחזור אליכם בהקדם

דלג לתוכן מרכזי